Produktöversikt
Vår RIE Etcher 12-tum (Reactive Ion Etcher) är precisionsutrustning för torretsning som vi utvecklat oberoende-skräddarsydd speciellt för avancerad mikro-nanobearbetning. I sin kärna blandar den fysiskt jonbombardement med kemiska reaktionsmekanismer, och bryter slutligen igenom den knepiga "precisions-kontrollbalans" flaskhalsen som länge har plågat traditionell etsteknik. Den har utmärkt anisotropisk etsningsförmåga och ultra-hög materialselektivitet, vilket gör det till ett-kärnprocessverktyg för halvledartillverkning, MEMS-utveckling och produktion av optoelektroniska enheter. Oavsett om du gör avancerad laboratorieforskning eller ökar industriell massproduktion, levererar den här serien stabila, pålitliga processlösningar som du kan lita på.
Ansökningar
- Semiconductor Manufacturing: Vi använder det för front-transistormönster, back-TSV-etsning och SOI-substratbearbetning-totalt måste-ha för krympande chipprocesser.
- MEMS-enhetsutveckling: Den spikar exakt bearbetning av mikro-sensorer, ställdon och fluidic chips, etsar på ett tillförlitligt sätt 3D-strukturer (upp till 20:1 bildförhållande) på kisel och polymerer.
- Optoelektronisk industri: Fungerar för optiska vågledare, LED-epitaxialskivor, fotodetektorer -tight strukturkontroll ökar ljuseffektiviteten.
- Nanoteknologiforskning: Para ihop med ALE-teknik gör den materialborttagning på atom-nivå-supertillförlitlig för 2D-material (grafen, MoS₂) och nano-mönster.
Fördelar
Uni-kroppsdesignkoncept:
Fot-avtryck utestående (ref 1,0m* 1,0m)
Enhetlig kammarcenterpump-ned:
Bättre processprestanda
Duschhuvudsgasinmatning-kan också konfigureras:
Ställs in som en förinställd parameter beroende
Plasmaurladdningsgap kan konfigureras:
Ställs in som en förinställd parameter beroende
Valfri kostnads- eller prestationsorientering:
RF, Pump, Values etc. beroende på krav
Provhantering valfritt:
Öppna-Ladda eller ladda-Lås
Parametrar
|
Specifikation |
Parametrar |
|
Waferstorleksområde |
4,6,8,12 tum eller multi-wafers valfritt |
|
Etsningsmaterial |
Si-Baserat(Si/SiO2/SiNx/SiC/kvarts etc.), föreningar |
|
Vakuum |
TMP och mekanisk pump |
|
RF-ström |
Full Range 300-1000W, tillval |
|
Gassystem |
4 rader (Standard) eller anpassad |
|
Wafer Kylning |
Vattenkylning eller He Backside Cooling tillval |
|
Wafer Stage |
Från-70 grader till 200 grader, valfritt |
|
Icke-enhetlighet |
Mindre än ± 5 % (Edge Exclusion) |
FAQ
Vilka typer av material kan RIE Etcher 12-tums bearbeta?
Den täcker Si-baserade material, sammansatta halvledare, 1D&2D-material, metaller, etc., och stöder även felanalys av relaterade material.
Vilka waferstorlekar stöds?
Kompatibel med 4/6/8/12-tums wafers och multi-wafer-bearbetning, med anpassade lösningar tillgängliga för specialstorlekar.
Vad är etsningslikformigheten?
O-enhetligheten är<±5% after edge exclusion, ensuring full-wafer processing consistency.
Vad är temperaturområdet för wafersteget?
Valfri -70 grader till 200 grader, uppfyller kraven för etsningsprocesser med låg-till hög temperatur.
Hur många gasledningar finns i standardkonfigurationen och kan den anpassas?
Standardkonfigurationen inkluderar 4 gasledningar, som kan anpassas och utökas efter komplexa processbehov.
Vad är RF-effektområdet?
Täcker ett komplett utbud av 300-1000W, valbart på begäran.
Vilka är provhanteringsmetoderna?
Tillhandahåller två alternativ: Öppna-Ladda och ladda-lås, anpassning till olika produktionseffektivitet och miljökontrollbehov.
Vilket vakuumsystem är utrustat?
Använder en kombination av TMP turbomolekylär pump och mekanisk pump för att säkerställa en stabil vakuummiljö som krävs för etsning.
Är utrustningsunderhåll bekvämt?
Den integrerade designen förenklar den interna strukturen, nyckelkomponenterna är enkla att underhålla, vilket minskar stilleståndstiden och underhållssvårigheterna.
Kan plasmaurladdningsgapet justeras?
Den kan konfigureras och justeras som en förinställd parameter enligt processkrav för att uppnå exakt etsningskontroll.
Stöder den kostnads-orienterade eller prestanda-orienterade konfigurationsalternativ?
Stöder båda konfigurationerna; nyckelkomponenter som RF-strömförsörjning, pump och ventiler kan väljas på begäran för att balansera kostnaderna eller förbättra prestandan.
Kan waferkylningsmetoden anpassas?
Stöder två alternativ: vattenkylning och He backside kylning, med anpassade lösningar tillgängliga för speciella behov.
Populära Taggar: rie etcher 12-tum, Kina rie etcher 12-tum tillverkare, leverantörer
