Genom att täcka ytan av ett substrat såsom en kiselskiva med en mycket ljuskänslig fotoresist och sedan bestråla substratytan med specifikt ljus (vanligtvis ultraviolett ljus, djupt ultraviolett ljus, extremt ultraviolett ljus) genom en mask som innehåller information om målmönster, kommer fotoresisten som bestrålas av ljuset att reagera. Därför kommer det område som bestrålas efter utvecklingen att ge andra effekter än det område som inte bestrålas (beroende på egenskaperna hos fotoresisten).
